采用二次曲线校正的CMOS带隙基准

• 作者: 李玉山 来新泉 王红义 陈富吉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 温度系数 曲率校正 二次曲线
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1155-1158
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 3228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.008

摘要

利用MOS管饱和电流对于"过驱动电压"的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5 μm CMOS工艺,在-40～120℃范围内,该方法将传统带隙基准的温度系数从21.4×10-6/℃减小到4.5×10-6/℃,电路的输入电压可以低至1.8 V,工作电流12 μA,输出基准电压可在0～1.2 V之间任意设置.该方法可在任何CMOS工艺或BiCMOS工艺中实现,具有很强的通用性.