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Qualcomm进入45nm时代 首款产品出自台积电
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摘要：
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45nm CMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
腕表投资新渠道——国内首款手表理财产品上市
投资渠道
手表
产品
理财
国内
上市
腕表
计时工具
基于45nm SOI CMOS工艺的10bit、125MS/s过零检测Pipeline-SAR ADC设计
流水线模数转换器
逐次逼近
过零检测
高速动态比较器
低功耗
超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型
超浅结亚45nm MOSFET
二维电势半解析模型
亚阈值电流
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献 (0)
共引文献 (0)
参考文献 (0)
节点文献
引证文献 (0)
同被引文献 (0)
二级引证文献 (0)
2007(0)
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研究主题发展历程
节点文献
首款
QUALCOMM
nm
韩国三星电子
晶圆厂
设计商
浸没式光刻
公司计划
副总裁
TIMES
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
总被引数（次）
664
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