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摘要:
基于IP核的技术设计了一种快速数字电平转换电路.采用电压-电流-电压的方式实现不同电压域的电平转换,引入单稳态延时电路和快慢速通道提高电平转换速度和降低静态功耗,并给出了与标准CMOS工艺兼容的扩展漏极高压MOS管的优化设计.仿真结果表明:在将-5~+5V电压域的数字电平转换成0~+12V的电压域时,其延时可低于10ns.
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文献信息
篇名 快速数字电平转换电路IP核设计
来源期刊 华中科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 电压域 电平转换 IP核
年,卷(期) 2007,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 58-61
页数 4页 分类号 TN453
字数 2860字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.07.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邹雪城 华中科技大学电子科学与技术系 310 2261 21.0 31.0
2 曾子玉 华中科技大学电子科学与技术系 4 20 2.0 4.0
3 孔令荣 华中科技大学电子科学与技术系 4 33 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
互补金属氧化物半导体(CMOS)
电压域
电平转换
IP核
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
月刊
1671-4512
42-1658/N
大16开
武汉市珞喻路1037号
38-9
1973
chi
出版文献量(篇)
9146
总下载数(次)
26
总被引数(次)
88536
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