脉冲偏压占空比对MgO薄膜成分及结构的影响

• 作者: 何振辉 朱道云 郑昌喜 陈弟虎
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 阴极真空电弧离子沉积 占空比 MgO薄膜 等离子体显示板(PDP)
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 5-7,59
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.03.002

摘要

采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃衬底上制备出了具有择优取向的透明MgO薄膜.利用卢瑟福背散射谱、X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外-可见吸收光谱仪分别对MgO薄膜的成分、结构、表面形貌及可见光透过率进行了分析.结果表明:MgO薄膜具有(100)和(110)两种取向,且择优取向趋势不随占空比的变化而变化.随着占空比的增大,脉冲偏压为-150V时制备的MgO薄膜中Mg和O的原子含量之比逐渐增大,占空比为30%时,n(Mg)∶n(O)接近1∶1;SEM图表明,晶粒尺寸随着占空比的增大几乎没有发生明显的改变;在350～900nm范围内,MgO薄膜的可见光透过率可以达到90%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何振辉	中山大学物理科学与工程技术学院	41	186	8.0	11.0
2	陈弟虎	中山大学物理科学与工程技术学院	42	160	6.0	11.0
3	朱道云	中山大学物理科学与工程技术学院	4	13	3.0	3.0
4	郑昌喜	中山大学物理科学与工程技术学院	1	3	1.0	1.0