一种改进结构的GaAs微波PIN二极管

• 作者: 吴茹菲 尹军舰 张海英 杨浩
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 微波 PIN二极管 砷化镓 新结构
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1552-1554
• 页数: 3页
• 分类号: TN385
• 字数: 2562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.05.007

摘要

设计并制作了高性能GaAs微波PIN二极管.分析了GaAs PIN二极管的结构对其性能的影响,并根据分析结果改进了GaAs PIN二极管的结构.制作了常见结构和改进结构的GaAs PIN二极管,比较了不同结构的GaAs PIN二极管的测试数据,从而验证了理论分析的结果.改进后的GaAs PIN二极管制作工艺更为简单,具有良好的高频特性,截止频率达到1 520.5 GHz.这种改进结构的GaAs微波PIN二极管在微波电路中具有良好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
4	吴茹菲	中国科学院微电子研究所	8	18	3.0	3.0