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摘要:
用直流磁控溅射法分别在Si(111)基片及陶瓷基片上制备掺有TiO2的ZnO薄膜,并进行500℃、700℃退火处理,对掺杂前后ZnO薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性.500℃退火后,各掺杂样品对有机气体有较高的灵敏度,随着掺杂时间延长,气敏特性提高.700℃退火后,2 min掺杂的样品对乙醇有很高的灵敏度和很好的选择性,最佳工作温度为220℃左右.而其他掺杂量的样品对乙醇气体灵敏度低,随着掺杂时间延长,气敏特性降低.
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文献信息
篇名 掺TiO2的ZnO薄膜气敏特性研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 ZnO薄膜 掺杂 溅射 气敏特性 灵敏度
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 37-40,45
页数 5页 分类号 TN3
字数 4195字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙以材 河北工业大学微电子研究所 117 1247 18.0 31.0
2 潘国锋 河北工业大学微电子研究所 11 64 5.0 7.0
3 邱美艳 河北工业大学微电子研究所 5 43 4.0 5.0
4 杜鹏 河北工业大学微电子研究所 4 35 4.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
掺杂
溅射
气敏特性
灵敏度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导