用X光光刻法制备亚波长抗反射结构

• 作者: 杉山进 李以贵
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: X光光刻 抗反射结构 高深宽比 纳米制造
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 14-16,34
• 页数: 4页
• 分类号: TH741.6
• 字数: 2016字
• 语种: 中文

摘要

为了提高太阳电池的转换效果,降低反射光栅的偏振敏感性,开发了一种新的抗反射结构的微细加工技术.首先用X光光刻在PMMA光刻胶上得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长纳米结构,即抗反射结构.设计了适用于可见光波段的二维亚波长抗反射光栅,用X光光刻制作工艺在硅衬底上进行了实验制备.用此纳米加工技术获得了线宽为150 nm、高度约为450 nm(即深宽比为3.O)的PMMA减反射结构.同时还优化了曝光近接间隔、曝光剂量、显影时间等X光光刻参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李以贵	上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室	19	120	7.0	10.0