E2PROM工艺的ESD保护电路失效分析

• 作者: 万颖 易峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 失效分析 保护元件 过电应力
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TN306
• 字数: 1187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.12.005

摘要

ESD保护电路已经成为集成电路不可或缺的组成部分,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、微红外发光显示设备EMMI等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及机理.文章通过对一组击穿失效的E2PROM工艺的ESD保护电路实际案例的分析和研究,介绍了几种分析工具,并且在ESD失效机制的基础上,提出了改进ESD保护电路的设计途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易峰	中电科技集团公司第五十八研究所	2	12	1.0	2.0
2	万颖		1	1	1.0	1.0