新日铁成功研制低缺陷的100mm SiC晶圆

• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 新日铁公司 缺陷密度 SIC SEMICONDUCTOR 晶圆 计算机模拟技术 World 物质转移
• 年，卷（期）: jcdltx,（2）
• 页码范围: 9
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.12

摘要

据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道，日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上，开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺，使100mm的SiC晶圆大幅度降低微管缺陷密度，其微管分布仅为0．03个／cm^2，是业界最好水平。目前，