消除CMOS管内部噪声的方法

• 作者: 华六七 潘敏 窦建华
• 来源期刊: 宇航计测技术
• 学科: 工学
• 关键词: +CMOS技术 低噪声放大器 噪声降低 电路
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2478字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7202.2008.04.014

摘要

介绍了一种通过改进电路结构来消除CMOS管内部的噪声,最终达到降低总输出噪声的技术.首先从理沦上证明了这种技术的原理,然后把这种技术应用到具体的低噪声放大器电路中,通过PSPICE软件模拟仿真,比较和分析了采用这种技术前后LNA电路的总输出噪声、输出信噪比和电压增益.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	窦建华	合肥工业大学计算机与信息学院	51	268	10.0	13.0
2	潘敏	合肥工业大学计算机与信息学院	18	124	6.0	11.0