a-Silicon剩余厚度和TFT特性的关系研究

• 作者: DONG Yi-ping LI Zheng-qin ZHENG Zai-run 崔捷 李伟 李斗熙
• 来源期刊: 现代显示
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅 薄膜晶体管特性 工作电流 漏电流 开启电压 迁移率
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 2080字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-6268.2008.08.007

摘要

以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon.通过调整刻蚀时间.研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影响.并通过在线电学特性测试设备EPM对TFT器件电学特性进行测量和评估.在这里说明测试用的Glass,Channel部的a-Silicon是由三层物质L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n+a-Silicon按照21.74%、56.52%、21.74%的比例沉积而成.其中n+a-Silicon是Channel部必须去除的部分,其余两部分才是影响TFT特性的因素.而TFT Channel的真正形成也是在L:a-Silicon层.所以整个实验过程中需要考虑一点是H:a-Silicon在全部a-Silicon(包含L:a-Silicon、H:a-Silicon、和n+a-Silicon)中的比例,即所谓的H:a-Silicon%.因为既要保证下面的L:a-Silicon层不受影响,同时还要保证上面的n+a-Silicon曾被完全去除.所以实验中的时间选定必须从某个定点开始.实验结果说明当H:a-Silicon的剩余厚度为10.8%时TFT特性明显变差,那么可以保守的得出:在其它条件不变的情况下.H:a-Silicon的剩余厚度在a-Silicon总厚度的25%-45%范围之内时TFT器件的电学特性受到的影响很小:而H:a-Silicon剩余厚度少于a-Silicon总厚度的25%时TFT器件的电学特性变差.即工作电流变小、开启电压变大、漏电流和迁移率没有明显差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟		9	14	3.0	3.0
2	李斗熙		5	18	2.0	4.0
3	ZHENG Zai-run		1	1	1.0	1.0
4	崔捷		1	1	1.0	1.0
5	DONG Yi-ping		1	1	1.0	1.0
6	LI Zheng-qin		1	1	1.0	1.0