GaAs高效率高线性大功率晶体管

• 作者: 余若祺 崔玉兴 张博闻 李剑锋 邱旭
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率 高性能FET 高效率 高线性 内匹配
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 505-507,511
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN323.4
• 字数: 1686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.09.003

摘要

介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等.通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性.测试结果表明,器件在5.3～5.9 GHz频段内,P1dB为45 W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
2	邱旭	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	12	2.0	3.0
3	李剑锋	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	7	2.0	2.0
4	余若祺	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	15	2.0	3.0
5	张博闻	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	7	2.0	2.0