HOLLIAS-LEC G3 PLC在SiC晶体生长炉控制系统中的应用

• 作者: 王国锋
• 来源期刊: 世界仪表与自动化
• 学科: 工学
• 关键词: SiC晶体生长炉 控制系统 PLC
• 年，卷（期）: sjybyzdh_2008,（1）
• 页码范围: 42-43
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.24

摘要

作为一种新型的半导体材料．SiC（碳化硅）以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率／高额电子器件最重要的半导体材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时．SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王国锋		11	4	1.0	2.0