纳米碳化硅、氮化硅和掺杂氮碳化硅粉体的制备及其微波介电特性

• 作者: 周万城 罗发 赵东林
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米碳化硅和氮化硅 纳米掺杂氮碳化硅 激光诱导气相反应 微波介电特性
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 783-787
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75+.8.12
• 字数: 3930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2008.06.011

摘要

为了制备耐高温吸波材料,用激光诱导气相反应法,以六甲基二硅胺烷[(Me3Si)2NH](Me:CH3)、乙炔、硅烷和氨气为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置分别制备了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体,纳米粉体的粒径为20～30nm.研究了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体在8.2～12.4GHz的微波介电特性,纳米SiC(N)粉体介电常数的实部(ε')和虚部(ε")在8.2～12.4GHz随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε"/ε')较高,是较为理想的微波吸收材料,而纳米SiC和Si3N4粉体的tgδ基本为0.纳米SiC(N)粉体中S,C,N原子周围的化学环境比纯SiC和Si3N4相的混合体要复杂得多,这是导致其性能变化的主要原因.纳米SiC(N)粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米SiC(N)粉体中形成大量的带电缺陷,在电磁场作用下形成极化耗散电流,极化弛豫是吸收电磁波的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗发	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	168	1535	19.0	30.0
2	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
3	赵东林	北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室	40	867	14.0	29.0