低温共烧PSN-PZT压电陶瓷的研究

• 作者: 刘光聪 刘相果 曾祥明 蹇胜勇
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: PSN-PZT 压电陶瓷 低温烧结 压电性能
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 压电及其他功能器件
• 页码范围: 26-28,32
• 页数: 4页
• 分类号: TN282
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2008.01.009

摘要

以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量、B位离子Nb缺位量、ZrO2的减少量、微量添加元素、烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响.结果表明: PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数为3%,材料的最佳锆钛比r(Zr/Ti)=1.04.B位离子Nb的缺位可大幅度降低材料的烧结温度,在Nb缺位量为10%时,可使材料的烧结温度降低到(1 110±20)℃,同时保持优异的压电性能:居里温度TC=339 ℃,压电常数d33＝427 pC/N,介电常数εT33/ε0=1 750,机电耦合系数kp＝0.72,介电损耗tan δ=0.014.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘相果		8	19	3.0	4.0
2	曾祥明		4	6	2.0	2.0
3	蹇胜勇		6	14	2.0	3.0
4	刘光聪		11	53	4.0	7.0