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摘要:
计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析.
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文献信息
篇名 利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率
来源期刊 光电子·激光 学科 工学
关键词 光子晶体 GaN LED ICP
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目 光电子器件和系统
研究方向 页码范围 569-572
页数 4页 分类号 TN312+.8
字数 2239字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.05.001
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
光子晶体
GaN
LED
ICP
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子·激光
月刊
1005-0086
12-1182/O4
大16开
天津市南开区红旗南路263号
6-123
1990
chi
出版文献量(篇)
7085
总下载数(次)
11
总被引数(次)
60345
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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