利用光子晶体提高InP基LED出光效率

• 作者: 孙增辉 杜伟 王春霞 许兴胜 赵致民 陈弘达 高俊华 鲁琳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体 电子束曝光 反应离子束刻蚀 LED出光效率
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 921-925
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.030

摘要

应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.