Nd掺杂对Bi4Ti3O12单晶的结构和电学性能的影响

• 作者: 梁坤 谢文明 贺小庆 龙展鹏
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Bi4-xNdxTi3O12 单晶生长 铁电材料 漏电流
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 化学与材料科学
• 页码范围: 277-279,283
• 页数: 4页
• 分类号: TN384
• 字数: 2283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2008.03.017

摘要

采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12(BNdT)单晶,并研究了BNdT的结构和电学性能.XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化,铁电性能的测试表明Nd掺杂降低了BNdT单晶的剩余极化,BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势.Nd的A位掺杂同时也导致BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小,而由于(Bi2O2)2+层的存在,BNdT单晶沿c方向显示出更低的漏电流密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁坤	湖北大学材料科学与工程学院	17	45	3.0	6.0
2	贺小庆	湖北大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0
3	谢文明	湖北大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
4	龙展鹏	湖北大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0