利用OPC方法提高NAND FLASH CELL WL均匀性

• 作者: 徐海洁 程秀兰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 OPC 分辨率 NANDFLASHCELL 均匀性
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2361字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.11.009

摘要

随着集成电路制造工艺的飞速发展,图形最小线宽(CD)越来越小.为了提高分辨率,在设备方面,光刻机一方面不断减小光源的波长,另一方面尽可能地增大透镜孔径的大小.但是这会极大的增加成本,而且同时也无法解决随着最小线宽的逐渐缩小,实际曝光时,由于光的衍射,投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真的问题.所以在六、七年前0.1 8μm技术节点时,OPC(Optical Proximity Correction)技术就被广泛应用到掩模版的制作,以得到在相同光刻条件下更高的分辨率和更逼真的图形.文章主要介绍在传统的OPC技术下如何结合其他新的OPC技术提高NAND FLASH CELL WL的均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0