掺锑二氧化锡薄膜的喷雾热解法制备与热处理

• 作者: 杨宏艳 肖功利
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2:Sb薄膜 喷雾热解法 外延生长 光电特性 热处理
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 357-360,364
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.21
• 字数: 3461字
• 语种: 中文

摘要

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用喷雾热解法在玻璃基片上制备了掺锑二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜.用X光电子能谱分析仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光吸收谱仪分别对样品进行了表征,且对其结构、电学和光学特性作了研究.实验结果表明:薄膜仍为金红石型结构,在Sb的掺杂量为(1.0～1.5)wt%(质量百分比)和基片温度为500℃时,薄膜方阻为0.8～3.5Ω/□,可见光透过率达80%,红外光反射率达到80%.样品在O2,N2中进行热处理,其电导率呈有规律的变化趋势,热处理温度为550℃时,两种样品的电导率变化曲线上同时出现拐点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖功利	桂林电子科技大学信息与通信学院	26	22	3.0	4.0
3	杨宏艳	桂林电子科技大学计算机与控制学院	28	59	4.0	7.0