硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响

• 作者: 宁丽娜 彭燕 徐现刚 李娟 王翎 王英民 胡小波 高玉强
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高纯 合成 碳化硅粉
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1989-1991
• 页数: 3页
• 分类号: TQ031.2|O722.4
• 字数: 2358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.12.015

摘要

合成了适于半绝缘碳化硅单晶生长的高纯度SiC粉料.实验发现,不同的硅粉形状、粒度以及合成温度、时间都对合成产物的形貌、组成和产率有影响.合成产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)观察,结构通过粉末衍射法(XRD)测定.结果表明,合成产率与Si粉的表面积有十分重要的关系,表面积越大,合成产率越高.合成温度和时间则决定了合成产物中岐睸iC和猹睸iC的比例.辉光放电质谱(GDMS)测量了合成产物的杂质含量,表明合成产物符合半绝缘SiC单晶的生长要求.