氧化铋薄膜的制备及其性能表征

• 作者: 张争光 王秀峰 王莉丽 田清泉
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铋 化学水浴法 禁带宽度 电导率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 411-414
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2499字
• 语种: 中文

摘要

利用化学水浴沉积法在室温下制备了多晶氧化铋薄膜,并在350℃的空气气氛条件下进行退火处理,得到纯的α-Bi2O3,薄膜.对它们的晶相结构、光电性能进行测试.从X衍射分析结果来看,在退火过程中,薄膜结构由四方相和非化学计量相向单斜相转变.光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0.4eV.退火后的薄膜在室温下暗电导率下降2个数量级.电导率的变化显示具有半导体行为的性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王秀峰	陕西科技大学材料科学与工程学院	276	1311	17.0	22.0
2	王莉丽	陕西科技大学材料科学与工程学院	24	91	6.0	8.0
3	张争光	陕西科技大学材料科学与工程学院	7	46	5.0	6.0
7	田清泉	陕西科技大学材料科学与工程学院	9	68	6.0	8.0