ZnS薄膜生长温度对ZnS/PS体系结构和发光的影响

• 作者: 李清山 王彩凤 郑萌萌
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光(PL) 白光 脉冲激光沉积(PLD) ZnS 多孔硅(PS)
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 490-492
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.04.018

摘要

用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS,Porous Silicon)样品,然后以PS为衬底用脉冲激光沉积(PLD)的方法在100℃、200℃和300℃下生长ZnS薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,样品都在28.5°附近有一个较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向择优取向生长,但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽(FWHM)较大.随着ZnS薄膜生长温度的升高,薄膜的衍射峰强度逐渐增强.扫描电子显微镜(SEM)像显示,随着薄膜生长温度的升高,构成薄膜的纳米晶粒生长变大.室温下的光致发光(PL)谱表明,随着薄膜生长温度的升高,ZnS的发光强度增强而PS的发光强度减弱,把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加,在可见光区450～700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李清山	曲阜师范大学物理工程学院	57	249	9.0	12.0
3	王彩凤	滨州学院物理与电子科学系	21	147	5.0	12.0