一个3位flash ADC核设计

• 作者: 庞世甫 朱鹏 李威 王继安 胡蓉彬 龚敏
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS反相器 编码电路 PLA电路
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 2950字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2008.06.002

摘要

用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核.该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中,实现更高的转换位数.该3位ADC核采用Choudhury人提出的编码方案,解决了高速ADC的编码电路问题.采用SMIC的0.35μm/3.3CMOS工艺模型,用Candence软件进行仿真,该3位ADC速度高达2Gsps,在该速度下具有0.56mW的低功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱鹏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	22	60	3.0	7.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	109	372	10.0	12.0
3	庞世甫	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	4	8	2.0	2.0
4	李威		10	21	2.0	4.0
5	王继安	电子科技大学微电子与固体电子学院	11	74	4.0	8.0
6	胡蓉彬	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	1	1	1.0	1.0