过渡金属掺杂的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2黄铜矿电磁性质的第一性原理研究

• 作者: 曾永志 陆培民
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 稀磁半导体 过渡金属 磁矩
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 517-522
• 页数: 6页
• 分类号: O481.1|O631.23
• 字数: 3208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2243.2008.04.011

摘要

应用自旋极化的第一性原理对过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂的CuGaSe2和CuGaS2进行研究.计算结果表明:Cr和Mn掺杂的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2稀磁半导体(DMS)表现为铁磁性质,而V、Fe、Co和Ni掺杂时表现为反铁磁性质.对稀磁半导体的磁矩研究,其结果符合一条简单的规律:当磁性离子3d的t2轨道完全被占据时,磁性离子的磁矩比理论的期望值小;当磁性离子3d的t2g轨道处于全空时,磁性离子的磁矩比理论的期望值大;而当磁性离子3d的t2g轨道处于部分被占据时,磁性离子的磁矩与理论值的差距主要取决于晶体的对称性和磁性离子的状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆培民	福州大学物理与信息工程学院	38	116	4.0	9.0
2	曾永志	福州大学物理与信息工程学院	21	18	3.0	3.0