美研制出非二进制新型纳米存储器

• 作者: 赵安中
• 来源期刊: 功能材料信息
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米线 非二进制 存储器件 非晶态 壳结构 信息存储器 研制成功 研究人员 新型 低电阻
• 年，卷（期）: gnclxx_2008,（4）
• 页码范围: 47-47
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

据报道,美国宾夕法尼亚大学研究人员研制的一种以纳米线为基础的新型信息存储器件能存储"0"、"1"和"2"3位数值,不同于传统存储器件仅能存储"0"、"1"两位数值,这一创造可能催生新一代高性能信息存储器。