高温超高压烧结纳米SiC的研究

• 作者: 冷邦义 罗德礼 谢东华 谢茂林 鲁伟员 鲜晓斌
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高压 烧结 碳化硅 氧化铝
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 811-814
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.035

摘要

采用高温超高压(HT-HP)技术在4.5GPa/1250°C/20min工艺条件下制备了添加2wt%Al2O3助烧结剂的纳米SiC陶瓷.采用X射线粉末衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、纳米压痕(Nano indenter)研究了烧结SiC陶瓷的物相组成、晶粒大小、化学成分、微观结构、纳米压痕力学性能等.结果表明:采用超高压烧结,可以在较低温度(1250±50°C)、较少烧结助剂用量下实现纳米SiC的致密烧结.烧结体未发生相转变,结构致密,无孔隙,晶粒尺寸为22nm,晶格常数为4.355A;显微硬度为33.7GPa,弹性模量为407GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗德礼		48	236	9.0	13.0
2	冷邦义		10	57	5.0	7.0
3	鲜晓斌		47	280	10.0	12.0
4	谢东华		15	51	4.0	6.0
5	谢茂林		4	35	4.0	4.0