S波段雷达接收机前端低噪声放大器

• 作者: 李芹 王志功 魏源
• 来源期刊: 电子工程师
• 学科: 工学
• 关键词: 雷达接收机 低噪声放大器 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 基本电子电路
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4888.2008.02.012

摘要

采用0.35 μm SiGe BiCMOS工艺设计了用于S波段雷达接收机前端电路的低噪声放大器.对于现代无线接收机来说,其动态范围和灵敏度很大程度上都取决于低噪声放大器的噪声性能和线性度.相对于CMOS工艺来说,SiGe BiCMOS工艺具有更高的截止频率、更好的噪声性能和更高的电流增益,非常适合微波集成电路的设计.该低噪声放大器采用三级放大器级联的结构以满足高达30 dB的增益要求.在5 V的电源电压下,满足绝对稳定条件,在3 GHz～3.5 GHz频段内,功率增益为34.5 dB.噪声系数为1.5 dB,输出1 dB功率压缩点为11 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	李芹	东南大学射频与光电集成电路研究所	10	76	6.0	8.0
3	魏源	东南大学射频与光电集成电路研究所	1	9	1.0	1.0