一种PDSOI 8位MCU的瞬态实验与分析

• 作者: 刘刚 李瑞宾 杨善潮 林东生 海潮和 蔡小五 赵发展 郭天雷
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 瞬态 SOI MCU 辐照
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 813-816
• 页数: 4页
• 分类号: TN7
• 字数: 1755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.04.035

摘要

针对中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCUJ80C51RH设计了两套瞬态实验方法,开发了相配套的软件和硬件,并在西北核技术研究所的强光一号上进行了实验,成功地获得了所需要的数据,该MCU在剂量率为1E11 rad(Si)/s的瞬态辐照环境下工作正常.同时也证明了两套测试系统的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
3	林东生		33	148	8.0	10.0
4	郭天雷	中国科学院微电子研究所	8	33	3.0	5.0
5	赵发展	中国科学院微电子研究所	13	109	5.0	10.0
6	杨善潮		28	101	6.0	7.0
7	李瑞宾		13	28	3.0	4.0
8	蔡小五	中国科学院微电子研究所	15	38	4.0	5.0