Ar+注入多孔硅与Ar+注入硅多孔结构的光致发光研究

• 作者: 吕小毅 杨勇兵 薛涛 贾振红
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 多孔硅 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1640-1643
• 页数: 4页
• 分类号: TN383
• 字数: 3109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.12.018

摘要

研究了中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅和中等能量(30 key)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性.研究结果表明:中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用.使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后冉电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580 nIn附近发光峰强度随注入Ar+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470 nm附近的微弱发光峰不因注入Ar+而明显变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾振红	新疆大学信息科学与工程学院	286	1621	18.0	28.0
2	薛涛	新疆大学物理科学与技术学院	2	8	1.0	2.0
3	吕小毅	西安交通大学电子与信息工程学院	5	12	2.0	3.0
4	杨勇兵	新疆大学物理科学与技术学院	4	6	1.0	2.0