高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

• 作者: 何国荣 宋国峰 曹玉莲 渠红伟 王青 陈良惠 韦欣
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs/GaAsP 应变补偿 垂直腔面发射激光器(VCSEL)
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 304-307
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.03.006

摘要

利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响.理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益.按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王青	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	83	1420	20.0	35.0
2	宋国峰	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	22	88	6.0	8.0
3	韦欣	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	10	38	3.0	6.0
4	曹玉莲	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	15	78	5.0	8.0
5	何国荣	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	10	50	3.0	6.0
6	渠红伟	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	12	34	3.0	5.0