As2O3对K562 ATM/ATR基因表达和细胞凋亡的影响

• 作者: 任行洲 叶敏军
• 来源期刊: 浙江医学
• 学科: 医学
• 关键词: As2O3 ATM/ATR基因 细胞周期变化 细胞凋亡
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 229-231
• 页数: 3页
• 分类号: R3
• 字数: 2739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2785.2008.03.009

摘要

目的 探讨不同浓度As2O3对K562细胞ATM(Ataxia Telangiectasia Mutated)/ATR(ATM-Rad3-Related)基因表达的影响及相应的细胞周期变化和细胞凋亡机制.方法 以不同剂量的As2O3作用于K562细胞株,RT-PCR半定量检测ATM/ATR基因表达,流式细胞术检测P53、Annexin V和细胞周期.结果 随药物浓度升高,ATM基因表达量增强而ATR基因表达量降低,P53水平升高,细胞凋亡显著,亚二倍体和G1期细胞数增多,S期和G2/M期细胞减少.不加入药物的K562细胞ATM和ATR几乎不表达.结论 ATM和ATR基因表达变化呈As203浓度依赖的形式,且与P53水平、细胞周期和细胞凋亡率的改变相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任行洲	温州医学院附属第一医院血液科	4	19	3.0	4.0
2	叶敏军	温岭市第三人民医院内科	2	3	1.0	1.0