酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究

• 作者: 刘彩池 左云翔 王立建 章灵军 辛国军 陈玉武
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面织构 多晶硅 太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 784-786
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 1281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2008.11.018

摘要

多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈.采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构.酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良.分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率.结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVD SiNx减反射膜后反射率大大下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	陈玉武	河北工业大学信息功能材料研究所	2	24	2.0	2.0
3	章灵军		2	11	1.0	2.0
4	王立建		1	11	1.0	1.0
5	辛国军		1	11	1.0	1.0
6	左云翔		1	11	1.0	1.0