低介电常数甲基倍半硅氧烷多孔膜的制备及表征

• 作者: 付丹蓉 章瑛 胡一帆
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 薄膜 介电常数 甲基倍半硅氧烷 多孔材料 制备
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与信息技术
• 页码范围: 104-107
• 页数: 4页
• 分类号: O647|O484.4
• 字数: 2840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2008.02.027

摘要

利用甲基三甲氧基硅烷(MTMS)水解缩合生成低聚甲基倍半硅氧烷(O-MSSQ) 溶胶,经旋转涂胶和热解制备了多孔低介电常数薄膜.用FTIR,AFM 和MIM等方法分别对化学结构、表面粗糙度和介电性能等进行表征.FTIR研究表明:薄膜中Si-O-Si 键呈笼状和网状两种不同的结构,笼状/网状结构的比例会随着烧结温度的升高而明显降低,从而导致了介电常数升高.针对这一情况,使用了正十四烷(tetradecane)作为发泡剂以增加孔隙率,由于孔隙率的提高,其介电常数可达 1.9.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡一帆	华中科技大学物理系	3	10	2.0	3.0
2	章瑛	华中科技大学物理系	1	7	1.0	1.0
3	付丹蓉	华中科技大学物理系	1	7	1.0	1.0