低介电多孔薄膜的制备及形成机制研究

• 作者: 吴振玉 徐洪耀 王献彪
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 多孔薄膜 低介电常数 旋转涂布
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 104-107
• 页数: 4页
• 分类号: O647|O484.4
• 字数: 3221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2006.01.021

摘要

利用硅烷偶联剂KH-570(γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷)水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷(POSS)溶胶为模板剂, 经热解制备低介电多孔薄膜材料. 使用FTIR对材料制备过程及形成机制进行动态研究, 通过 29Si NMR、椭偏仪、氮气吸脱附曲线和TEM等对材料的介电性质、孔洞大小和分布情况进行表征. 制备的介电多孔薄膜材料孔洞分布均匀、孔径约1 nm, 比表面积为384.1 m2/g, 介电常数为2.5的低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振玉	安徽大学化学化工学院安徽省绿色高分子材料重点实验室	44	254	9.0	14.0
2	徐洪耀	安徽大学化学化工学院安徽省绿色高分子材料重点实验室	60	520	13.0	19.0
3	王献彪	安徽大学化学化工学院安徽省绿色高分子材料重点实验室	1	9	1.0	1.0