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运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体
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摘要：
在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.
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研究主题发展历程
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GaAs
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位：
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-985X
CN：
11-2637/O7
开本：
16开
出版地：
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱
邮发代号：
创刊时间：
1972
语种：
chi
出版文献量（篇）
7423
总下载数（次）
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