GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应

• 作者: 徐家跃 房永征 王冰心 金敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 坩埚下降法 晶体生长 砷化镓晶体 掺杂
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 页码范围: 2632-2640
• 页数: 9页
• 分类号: O781
• 字数: 5364字
• 语种: 中文

摘要

作为第二代半导体材料,GaAs晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺.本文总结了GaAs晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了GaAs晶体坩埚下降法生长的研究成果.坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为GaAs晶体产业化的重要途径.掺杂不仅能调节GaAs晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响.本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂GaAs晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	房永征	上海应用技术学院材料科学与工程学院	46	146	7.0	9.0
2	金敏	上海应用技术学院材料科学与工程学院	14	46	4.0	6.0
3	徐家跃	上海应用技术学院材料科学与工程学院	87	198	6.0	9.0
4	王冰心	上海应用技术学院材料科学与工程学院	2	5	2.0	2.0