坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制

• 作者: 介万奇 李国强 谷智 郭平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe 坩埚加速旋转-垂直下降法 晶体生长设备
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 346-350
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 3012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.013

摘要

根据CdZnTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求,设计制造了坩埚加速旋转-垂直下降法(ACRT-VBM)晶体生长系统.本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择,给出了系统的基本结构.晶体生长炉的温度控制精度为±1℃,系统的速度均匀度为±0.0015mm/h.该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	谷智	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	21	103	5.0	9.0
3	李国强	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	9	42	4.0	6.0
4	郭平		1	9	1.0	1.0