LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征

• 作者: 何庆波 周鼎 徐家跃 房永征 申慧 金敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 晶体生长 坩埚下降法 硅掺杂 孪晶
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 594-598
• 分类号: O78|TW305.1
• 字数: 814字
• 语种: 中文

摘要

采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发.研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷.结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题.探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	房永征	上海应用技术学院材料科学与工程学院	46	146	7.0	9.0
2	金敏	上海应用技术学院材料科学与工程学院	14	46	4.0	6.0
3	徐家跃	上海应用技术学院材料科学与工程学院	87	198	6.0	9.0
4	何庆波	上海应用技术学院材料科学与工程学院	2	4	1.0	2.0
5	周鼎	上海应用技术学院材料科学与工程学院	24	48	4.0	6.0
6	申慧	上海应用技术学院材料科学与工程学院	24	34	3.0	4.0