钼硅化物改善刀口型硅尖场发射性能研究

• 作者: 李新义 王小菊 祁康成 罗德均 董建康
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 钼硅化物 刀口型硅尖阵列 场发射
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1101-1103
• 页数: 3页
• 分类号: TN105
• 字数: 1851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.008

摘要

采用湿法刻蚀、电子束蒸发、真空高温退火方法,成功制备出钼硅化物薄膜刀口型尖锥场发射阵列,并对涂敷钼硅化物薄膜刀口型尖锥阵列和刀口型硅尖锥阵列的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,在刀口型硅尖锥阵列上制备钼硅化物薄膜,能够提高场发射电流密度和发射稳定性.该结论对进一步研究金属硅化物在改善场发射性能方面有着重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
3	罗德均	电子科技大学光电信息学院	2	4	1.0	2.0
4	李新义	电子科技大学光电信息学院	4	7	2.0	2.0
5	董建康	电子科技大学光电信息学院	3	8	2.0	2.0