硅晶片抛光加工工艺的试验研究

• 作者: 李伟 胡晓珍
• 来源期刊: 新技术新工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 双面抛光 硅晶片 超光滑表面 加工工艺
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 数字技术与机械加工工艺装备
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN205|TG580.68|TG748
• 字数: 2298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5311.2008.04.014

摘要

双面抛光已成为硅晶片的主要后续加工方法,但由于需要严格的加工条件,很难获得理想的超光滑表面.本文设计了新的硅片双面抛光加工工艺路线,并在新研制的双面抛光机上对硅晶片进行抛光加工,通过试验,研究了不同加工参数对硅晶片表面粗糙度和材料去除率的影响.采用扫描探针显微镜和激光数字波面干涉仪分别对加工后的硅晶片进行测量,试验结果表明:在优化试验条件下硅晶片可以获得表面粗糙度0.533 nm的超光滑表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟		57	397	11.0	17.0
2	胡晓珍		22	98	6.0	9.0