GaN晶片的CMP加工工艺研究

• 作者: 吴健 孙强 李伟
• 来源期刊: 轻工机械
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 GaN晶片 Fenton反应
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 制造·未修
• 页码范围: 48-51,56
• 分类号: TG580.6
• 字数: 2515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2895.2011.05.013

摘要

研究了GaN晶片的化学机械抛光(CMP)工艺,分析了在CMP加工工艺过程中对GaN晶片表面质量所产生的影响.实验采用质量分数30％的H2O2溶液与铁经过Fenton化学反应20 min后作为抛光液,并分别利用2种不同磨粒粒度W5和W0.5对晶片表面抛光,对不同工艺参数加工后的晶片表面进行测试分析,并推测加工过程中晶片表面可能发生的化学反应.