SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势

• 作者: 李淑娟 李言 肖强
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: SiC单晶片 化学机械抛光 粗糙度 抛光效率
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: V2
• 字数: 5167字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.003

摘要

综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	361	3453	31.0	39.0
2	李淑娟	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	137	1091	18.0	27.0
3	肖强	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	23	175	7.0	12.0