SiC单晶片ELID超精密磨削氧化膜特性研究

• 作者: 朱育权 李言 肖强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: SiC单晶片 ELID磨削 氧化膜 占空比 电解电压
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 1055-1059
• 分类号: O649
• 字数: 3565字
• 语种: 中文

摘要

SiC单晶片的材质既硬且脆,加工难度很大,通过ELID磨削技术超精密加工SiC单晶片是一种高效的加工方法,而氧化膜的特性是ELID磨削技术的关键.本文研究了ELID磨削中氧化膜的形成规律,基于电化学基本原理,建立了砂轮表面氧化膜形成过程的一般模型,并对电压、占空比等工艺参数对金属结合剂砂轮表面氧化膜形成特性的影响进行了研究.结果表明:氧化膜厚度和生长率随着电压和占空比的增加而增加,随后逐渐降低并趋于稳定.根据SiC单晶片硬脆性质,在超精密加工SiC单晶片时,开始阶段采用较高电压(120 V)和较高占空比(2/3),在稳定阶段采用较低电压(90 V)和较低占空比(1/4).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	361	3453	31.0	39.0
2	肖强	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	23	175	7.0	12.0
4	朱育权	西安工业大学机电工程学院	31	246	8.0	15.0