SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究

• 作者: 何雪莉 肖强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC单晶片 表面粗糙度 材料去除率
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 693-697
• 页数: 5页
• 分类号: O73
• 字数: 1807字
• 语种: 中文

摘要

SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点.本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证.仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50％,材料去除率提高达100％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖强	西安工业大学机电工程学院	23	175	7.0	12.0
2	何雪莉	陕西师范大学计算机科学学院	6	29	4.0	5.0