SiC单晶片切割力建模与自适应控制

• 作者: 张恒 李淑娟 杜思明 王鑫
• 来源期刊: 机械科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC单晶片 系统辨识 F检验 自适应控制
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 精密制造与加工
• 页码范围: 423-428
• 页数: 6页
• 分类号: TG501.3|TP271+.4
• 字数: 3975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13433/j.cnki.1003-8728.2015.0320

摘要

SiC单晶因优良的物理和机械性能而大量用于大功率器件和IC行业.但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得很困难.为此,分析了SiC单晶片切割过程,建立切割过程模型,通过F检验法进行系统阶次辨识,采用遗忘因子递推最小二乘算法在线估计模型参数,建立进给量与切割力的差分方程,设计基于最小方差自校正的切割力控制器,并进行实验验证.结果表明:控制器能够很好的跟踪不同信号,具有良好的鲁棒性,提高了SiC单晶片的加工效率和表面质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李淑娟	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	137	1091	18.0	27.0
2	张恒	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	8	29	2.0	5.0
3	杜思明	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	3	0	0.0	0.0
4	王鑫	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	7	55	3.0	7.0