旋转条件下切割SiC单晶片实验研究

• 作者: 李淑娟 李言 王肖烨 肖强
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: 工件旋转 SiC单晶片 切向锯切力 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 74-77
• 分类号: V25
• 字数: 2306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2010.06.018

摘要

通过旋转条件下切割SiC单晶片,分析了切片表面微观形貌特点,研究了线锯速度、工件进给速度和工件转速对切片表面粗糙度与切向锯切力的影响规律.结果表明:增加工件旋转,切片表面平整光滑,沿线锯运动方向没有明显沟槽及凸起,质量明显得到改善;当转速由0增加到12 r/min时,切片表面粗糙度由1.532 μm降到0.513μm;线锯速度和工件旋转速度增大、工件进给速度减小,切向锯切力减小,表面粗糙度减小.当线锯速度和工件旋转速度过大,切向锯切力和表面粗糙度反而会有所增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	361	3453	31.0	39.0
2	李淑娟	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	137	1091	18.0	27.0
3	肖强	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	9	101	6.0	9.0
4	王肖烨	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	16	65	4.0	7.0