SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比研究

• 作者: 倪自丰 刘远祥 周凌 徐伊岑 杜春宽 赵永武 钱善华 陈国美
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学机械抛光 材料去除率 晶面 pH值
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 155-159,172
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 3329字
• 语种: 中文

摘要

化学机械抛光(CMP)已被认为是目前实现SiC晶片全局平坦化和超光滑无损伤纳米级表面的最有效加工方法之一,然而SiC晶片的化学氧化反应受其表面极性的强烈影响,从而导致其不同晶面表面原子在CMP过程中的可氧化性以及氧化产物去除的难易程度存在差异.采用K2 S2 O8作为氧化剂、Al2 O3纳米颗粒作为磨粒,对比研究了6H-SiC晶片Si面和C面的CMP抛光效果,并分析不同晶面对其CMP抛光效果的影响机理.结果表明,6H-SiC晶片Si面和C面的CMP抛光效果存在显著差异.6H-SiC晶片Si面的材料去除率在pH=6时达到最大值349 nm/h;相比之下,C面的材料去除率在pH=2时达到最大值1184 nm/h,抛光后的Si面和C面均比较光滑.氧化剂进攻C面上C原子的位阻明显小于其进攻Si面上的C原子的位阻,从而导致C面比Si面具有更高的反应活性和氧化速度.此外,C面上的氧化物比Si面上的氧化物更容易被去除,因此C面比Si面易于获得更高的材料去除率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘远祥	无锡商业职业技术学院机电技术学院	9	16	3.0	3.0
2	倪自丰	江南大学机械工程学院	52	102	5.0	6.0
3	钱善华	江南大学机械工程学院	36	52	4.0	4.0
4	周凌	无锡商业职业技术学院机电技术学院	16	27	3.0	3.0
5	陈国美	无锡商业职业技术学院机电技术学院	10	27	3.0	4.0
7	杜春宽	无锡商业职业技术学院机电技术学院	14	10	2.0	2.0
10	徐伊岑	无锡商业职业技术学院机电技术学院	21	31	3.0	5.0