精细雾化Cu - CMP抛光液抛光效果的试验研究

• 作者: 张慧 李庆忠 闫俊霞
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 铜 去除率 雾化
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 56-58,62
• 分类号: TG58
• 字数: 2263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-852X.2011.06.013

摘要

以磨料白炭黑、氧化剂H2O2、有机碱三乙醇胺、分散剂聚乙二醇为原料,通过正交设计的方法配制一系列抛光液,通过四甲基氢氧化铵调节抛光液的pH值为12,然后在研磨抛光机上对铜片进行超声波精细雾化化学机械抛光(CMP).对抛光盘转速与材料去除率的关系进行了研究,并对传统抛光和雾化抛光效果进行了对比.试验结果表明,分散剂、白炭黑、有机碱、氧化剂对抛光去除率的影响依次减弱.随着抛光盘转速的增加,雾化抛光的去除率经历了先缓慢增加、再急剧增加、后缓慢增加的变化过程.在同等的试验条件下,传统抛光的去除率为223 nm/min,铜片表面粗糙度为7.93 nm,雾化抛光去除率和铜片表面粗糙度分别为125 nrn/min和3.81 nm;虽然去除率略有不及前者,但抛光液用量仅为前者的十几分之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李庆忠	江南大学机械工程学院	47	113	5.0	6.0
2	张慧	江南大学机械工程学院	22	40	4.0	5.0
3	闫俊霞	江南大学机械工程学院	17	26	4.0	4.0