硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

• 作者: 宋志棠 封松林 张楷亮 钟旻
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 胶体SiO2 抛光速率 抛光液
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 400-402
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.099

摘要

针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.